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LED发光二极管晶片的主要技术参数

文章出处:网责任编辑:发光二极管厂家作者:拓展LED人气:-发表时间:2016-10-09 09:07:00

 

LED发光二极管晶片的主要技术参数:

 
A、LED发光二极管晶片的伏安特性图:
 
LED发光二极管晶片的主要技术参数
 
B、顺向电压(VF):施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。VF过大,会使晶片被击穿。
 
C、顺向电流(IF):晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。IF的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20mA左右。
 
D、逆向电压(VR):施加在晶片上的反向电压。
 
E、逆向电流(IR):是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。
 
F、LED发光二极管亮度(IV):指光源的明亮程度。单位换算:1cd=1000mcd
 
G、LED发光二极管波长:反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位:nm
 
H、光:是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。
 
光可分为:LED发光二极管波长大于0.1mm称为电波;760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光; 10nm-380nm叫紫外光;波长小于10nm的是X线光。
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